编辑-Z CL08-RG210参数描述： 型号：CL08-RG210 反向重复峰值电压VRRM：8000V 反向工作峰值电压VRWM：8000V 正向平均电流IF：0.5A 正向(不重复)浪涌电流IFSM：20A 反向恢复时间trr：80ns 正向峰值电压VFM：12V 反向峰值电流IR：2uA 工作环境和存贮温度Ta,TSTG：-40 to + 150℃ CL08-RG210封装大小： 直径：7.5mm 长度：22mm 线长：20mm 线径：1.2mm CL08-RG210产品特点： 雪崩电压击穿保护特性 优异的抗浪涌电流冲击特性 高速开关响应特性 采用新型环氧树脂真空封装技术，表面具有抗腐

编辑-Z 在电子零件领域中，肖特基二极管MBR60100PT因其出色的性能和广泛的应用而显得尤为关键。理解其材质不仅有助于我们深入理解其运作原理，也有助于我们做出更合适的电子设计。那么，肖特基二极管MBR60100PT是什么材质呢? 首先，我们来解析一下什么是肖特基二极管。在电子元件中，二极管是一个具有两层半导体材质的设备，用于控制电流的方向。而肖特基二极管是一种特殊的二极管，它以德国物理学家Walter H. Schottky的名字命名。它具有较快的

编辑-Z 肖特基二极管MBR40200PT是一种高效的电子元件，广泛应用于电源管理和功率控制领域。它具有低导通压降和快速恢复特性，能够在高频率和高温环境下稳定工作。 MBR40200PT采用了肖特基结构，该结构是由一个金属与一个半导体材料接触而形成的。这种结构具有正向电压低、反向漏电流小和快速恢复速度等特点，使得二极管具有低功耗、高效率和高可靠性的优势。 MBR40200PT的主要特性包括最大正向电压0.56V、最大反向电流2mA、最大工作温度150℃等。

编辑-Z MBR20200CT是一款二极管型号，也称为肖特基二极管。下面将介绍一些与MBR20200CT相关的参数和其代换。 1.峰值反向重复电压(VRRM)：MF20200CT的VRRM为200V，表示该二极管能够承受的最大反向电压。超过该值，二极管可能会损坏。 2.平均整流电流(IO)：MBR20200CT的IO为20A，表示在正向导通时，该二极管能够承受的最大平均电流。 3.最大正向压降(VF)：MF20200CT的VF为0.86V，表示在正向导通时，该二极管的电压降低。 4.反向恢复时间(trr)：MBR20200CT的trr为45ns，表示该

编辑-Z MBR20100CT参数描述： 型号：MBR20100CT 最大重复峰值反向电压VRRM：100V 最大RMS电压VRMS：70V 最大直流阻断电压VDC：100V 最大平均正向电流IF：20A 峰值正向浪涌电流IFSM：200A 最大正向电压VF：0.8V 最大直流反向电流IR：0.05mA 操作和储存接头温度范围TJ,TSTG：-65 to + 175℃ MBR20100CT封装大小： 封装：TO-220 总长度：28.57mm 本体长度：15.87mm 引脚长度：12.7mm 宽度：10.66mm 高度：5.0mm 脚间距：2.54mm MBR20100CT机械数据： 外壳：TO-220AB模压塑料 端子：根据MIL-STD-750，方法2

肖特基二极管和普通二极管之间的主要区别在于它们的结构和工作原理。 结构：肖特基二极管的结构与普通二极管略有不同。普通二极管有一个P-N结构，其中P型半导体和N型半导体通过一个P-N结相连接。而肖特基二极管的结构是由一个金属和一个N型半导体构成的，金属与N型半导体之间形成一个肖特基势垒。https://www.icanic.cn/glqj/dr/ 工作原理：普通二极管是利用P-N结的正向偏置和反向偏置的特性来实现电流的控制。当普通二极管处于正向偏置时，电流可

肖特基二极管也称为热载流子二极管或肖特基势垒二极管，是一种半导体二极管，其特征在于金属-半导体结，而不是传统二极管中的典型 p-n 结。 与传统硅二极管相比，肖特基二极管表现出更低的正向压降、更快的开关速度以及更短的反向恢复时间，使其成为电源、高频电路和射频（RF）等高速高效应用的理想选择。 ）系统。 来源：https://www.icanic.cn 特性参数选择： 1. 正向电压（VF）：正向电压是指二极管两端允许电流通过所需的电压。 肖特基二极

主营：贴片与插件二三极管（Patch and plug diode）、整流管系列与桥堆、高低压触发管、CRD恒流二极管系列、2835、SOT-89、贴片SOD-123、SOT-23、SMA(F)、SMB、SMC、TO-252、TO-263、TO-277、插件DO-41(L)、DO-15(L)、DO-27、R-6、TO-220肖特基系列、超快恢复系列、玻封管、稳压管、TVS管等全系列二极管。

编辑-Z 别看ASEMI肖特基二极管MBR30100CT和MBR40200PT两种型号从名字上看很像，其实他们的参数和封装都是不一样的，具体MBR30100CT和MBR40200PT有什么区别呢？ 肖特基二极管MBR30100CT参数： 型号：MBR30100CT 封装：TO-220AB 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.8V 最大直流反向电流（IR）

编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB3045LFCT参数： 型号：SB3045LFCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：4.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +125℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.42V 最大直流反向电流（IR）：100uA SB3045LFCT封装体积： 封装：ITO-220AB 总长度：29.37mm 本体长度：16.07mm 引脚长度：13.3mm 宽度：10.36mm 高度：4.93mm 脚间距：2.74mm SB3045LFCT特征： 低正向压

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT参数： 型号：MBR10100FCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：70V 最大直流阻断电压（VDC）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.8V 最大直流反向电流（IR）：0.05mA MBR10100FCT封装图片： 封装：ITO-220AB 总长度：29.2mm 本体长度：15.4mm 引脚长度：13.8mm

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR30200FCT参数： 型号：MBR30200FCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.9V 最大直流反向电流（IR）：0.05mA MBR30200FCT封装体积： 封装：ITO-220AB 总长度：29.2mm 本体长度：15.4mm 引脚长度：13.8

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR20200FCT参数： 型号：MBR20200FCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.9V 最大直流反向电流（IR）：0.05mA MBR20200FCT封装规格： 封装：ITO-220AB 总长度：29.2mm 本体长度：16.0mm 引脚长度：13.2mm

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR20100FCT参数： 型号：MBR20100FCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：70V 最大直流阻断电压（VDC）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.8V 最大直流反向电流（IR）：0.05mA MBR20100FCT封装图片： 封装：ITO-220AB 总长度：29.2mm 本体长度：15.4mm 引脚长度：13.8mm

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR60100PT参数： 型号：MBR60100PT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：70V 最大直流阻断电压（VDC）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：60A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.8V 最大直流反向电流（IR）：0.05mA MBR60100PT封装规格： 封装：TO-247 总长度：41.55mm 本体长度：21.3mm 引脚长度：20.25mm

编辑-Z ASEMI-10V45是什么材料？肖特基二极管10V45也叫金属半导体结二极管或表面势垒二极管。具有正向耐大电流、反向恢复时间快等优点。随着科学技术的发展，肖特基二极管10V45的性能要求越来越高，功率损失也越来越小，所以VF与泄漏电流控制在较低水平的肖特基10V45市场越来越重视。 肖特基二极管10V45有什么优点？低VF值10V45肖特基二极管VF值是指正压降值较低，因为电子元件本身具有一定的内阻值，因此当电路工作时，元件本身会产生压降，并与

编辑-Z SBT20100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是87MIL，是一款超低压降 低功耗肖特基二极管。SBT20100VDC的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为6uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT20100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT20100VDC的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.45V，其中有3条引线。 SBT20100VDC参数描述 型号：SBT20100VDC 封装：TO-263 特性：超低压降 低功耗 电性参数：20A 100V 芯片材质：金属硅芯片 正向

编辑-Z MBR30200PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是122MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR30200PT的浪涌电流Ifsm为275A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR30200PT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR30200PT的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.9V，其中有3条引线。 MBR30200PT参数描述 型号：MBR30200PT 封装：TO-247 特性：插件肖特基二极管 电性参数：30A 200V 芯片材质：金属硅芯片 正向电流(Io)：30A

编辑-Z SB30100LCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款插件肖特基二极管。SB30100LCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为12uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SB30100LCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SB30100LCT的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.55V，其中有3条引线。 SB30100LCT参数描述 型号：SB30100LCT 封装：TO-220AB 特性：插件肖特基二极管 电性参数：30A 100V 芯片材质：金属硅芯片 正向电流(Io)：30A

编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT40100VFCT参数： 型号：SBT40100VFCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：40A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.54V 最大直流反向电流（IR）：10uA SBT40100VFCT规格封装： 封装：ITO-220AB 总长度：30.0mm 本体长度：16.1mm 引脚长度：13.9mm 宽度：10.5mm 高度：4.7mm 脚间距：2.8mm SBT40100VFCT特征： 低正向压

编辑-Z MBR10200AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR10200AC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200AC采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MBR10200AC的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.9V，其中有2条引线。 MBR10200AC参数描述 型号：MBR10200AC 封装：TO-220AC 特性：大功率肖特基二极管 电性参数：10A 200V 芯片材质：金属硅芯片 正向电流(Io)

编辑-Z SB40100LCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款大功率肖特基二极管。SB40100LCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为40uA，其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。SB40100LCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SB40100LCT的电性参数是：正向电流(Io)为40A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.8V，其中有3条引线。 SB40100LCT参数描述 型号：SB40100LCT 封装：TO-220AB 特性：大功率肖特基二极管 电性参数：40A 100V 芯片材质：金属硅芯片 正向电流(Io)

SS12−S100系列包括高效率，低功耗，通用型肖特基整流器，并且提供了高的热性能和低的电阻。 据了解，SS14肖特基整流器适用于续流、二次整流和反极性保护应用，其工作温度范围是-65°C~+125°C，采用SMA (DO-214AC)封装。 主要特点： 玻璃−钝化接头 高−电流能力，低VF 为Pb−不含卤素，符合RoHS标准 总之，SS14是一款非常不错的肖特基二极管整流器，其应用是非常的广泛，主要用于低压、高−变频器、续流、极性保护等应用。 更多参数信息访问：https://ww

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR15200FAC参数： 型号：MBR15200FAC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：15A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：175A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.9V 最大直流反向电流（IR）：0.05mA MBR15200FAC规格图片： 封装：ITO-220AC 总长度：29.2mm 本体长度：15.4mm 引脚长度：13.8mm

编辑-Z MBR16200CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR16200CT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR16200CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR16200CT的电性参数是：正向电流(Io)为16A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.9V，其中有3条引线。 MBR16200CT参数描述 型号：MBR16200CT 封装：TO-220AB 特性：插件肖特基二极管 电性参数：16A 200V 芯片材质：GPP硅芯片 正向电流(Io)：16A 芯

编辑-Z ASEMI肖特基二极管SS310L参数： 型号：SS310L 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：70V 最大直流阻断电压（VDC）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：3.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（ReJA）：75℃/W 典型结电容（CJ）：250pF 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.6V 最大直流反向电流（IR）：0.1mA SS310L封装体积： 封装：SMA 总长度：5.28mm 本体长度：4.6mm 引脚长度

编辑-Z ASEMI肖特基二极管1N5822参数： 型号：1N5822 最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：28V 最大直流阻断电压（VDC）：40V 最大平均正向整流输出电流（IF）：3.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A 每个元件的典型热阻（ReJA）：40℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +125℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.52V 最大直流反向电流（IR）：2mA 1N5822规格封装： 封装：DO-41 总长度：60.3mm 本体长度：9.5mm 引脚长度：25.4mm 宽度：5.6mm 高度

编辑-Z SBT10100VDC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是62MIL，是一款低压降贴片肖特基二极管。SBT10100VDC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为4uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT10100VDC采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT10100VDC的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.42V，其中有3条引线。 SBT10100VDC参数描述 型号：SBT10100VDC 封装：TO-263 特性：低压降贴片肖特基二极管 电性参数：10A 100V 芯片材质：金属硅芯片 正

编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT20100VDC参数： 型号：SBT20100VDC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：180A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.45V 最大直流反向电流（IR）：6uA SBT20100VDC封装规格： 封装：TO-263 总长度：15.9mm 本体长度：9.5mm 引脚长度：5.1mm 宽度：10.69mm 高度：4.85mm 脚间距：2.54mm SBT20100VDC特征： 低正向压降 可

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR30200PT参数： 型号：MBR30200PT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：275A 每个元件的典型热阻（ReJA）：1.4℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.9V 最大直流反向电流（IR）：0.05mA MBR30200PT封装规格： 封装：TO-247 总长度：41.55mm 本体长度：21.3mm 引脚长度：20.25mm 宽度：16.25mm 高度：5.05mm 脚间距：5.7mm MBR30200PT特征： 塑料包装具

编辑-Z MBR40200PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是130MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR40200PT的浪涌电流Ifsm为350A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR40200PT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR40200PT的电性参数是：正向电流(Io)为40A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.9V，其中有3条引线。 MBR40200PT参数描述 型号：MBR40200PT 封装：TO-247 特性：插件肖特基二极管 电性参数：40A 200V 芯片材质：金属硅芯片 正向电流(Io)：40A

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR10200CT参数： 型号：MBR10200CT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.9V 最大直流反向电流（IR）：0.05mA MBR10200CT封装规格： 封装：TO-220AB 总长度：28.57mm 本体长度：15.87mm 引脚长度：12.7mm 宽度：10.66mm 高度：5.0mm 脚间距：2.54mm MBR10200CT特征： 塑料包装具

编辑-Z MBR30100CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是122MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR30100CT的浪涌电流Ifsm为275A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR30100CT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR30100CT的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.8V，其中有3条引线。 MBR30100CT参数描述 型号：MBR30100CT 封装：TO-220AB 特性：大功率肖特基二极管 电性参数：30A 100V 芯片材质：金属硅芯片 正向电流(Io

编辑-Z ASEMI肖特基二极管SBT10100VCT参数： 型号：SBT10100VCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.42V 最大直流反向电流（IR）：4uA SBT10100VCT封装规格： 封装：TO-220AB 总长度：30.36mm 本体长度：16.46mm 引脚长度：13.9mm 宽度：10.5mm 高度：4.8mm 脚间距：2.79mm SBT10100VCT特征： 低正向压降

编辑-Z SBT30100VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款超低压降低功耗肖特基二极管。SBT30100VCT的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为8uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT30100VCT的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.52V，其中有3条引线。 SBT30100VCT参数描述 型号：SBT30100VCT 封装：TO-220AB 特性：超低压降低功耗 电性参数：30A 100V 芯片材质：金属硅芯片 正向

编辑-Z SBT40100VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超低压降低功耗肖特基二极管。SBT40100VCT的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT40100VCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT40100VCT的电性参数是：正向电流(Io)为40A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.54V，其中有3条引线。 SBT40100VCT参数描述 型号：SBT40100VCT 封装：TO-220AB 特性：超低压降低功耗 电性参数：40A 100V 芯片材质：金属硅芯片 正

编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB20100LCT参数： 型号：SB20100LCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.55V 最大直流反向电流（IR）：12uA SB20100LCT封装规格： 封装：TO-220AB 总长度：29.37mm 本体长度：16.07mm 引脚长度：13.3mm 宽度：10.36mm 高度：4.93mm 脚间距：2.74mm SB20100LCT特征： 低正向压

编辑-Z SBT40100VFCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款塑封肖特基二极管。SBT40100VFCT的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT40100VFCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT40100VFCT的电性参数是：正向电流(Io)为40A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.54V，其中有3条引线。 SBT40100VFCT参数描述 型号：SBT40100VFCT 封装：ITO-220AB 特性：塑封肖特基二极管 电性参数：40A 100V 芯片材质：金属硅芯片 正向

编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB30100LCT参数： 型号：SB30100LCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.55V 最大直流反向电流（IR）：12uA SB30100LCT封装图片： 封装：TO-220AB 总长度：29.37mm 本体长度：16.07mm 引脚长度：13.3mm 宽度：10.36mm 高度：4.93mm 脚间距：2.74mm SB30100LCT特征： 低正向压

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR10200AC参数： 型号：MBR10200AC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：10A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.9V 最大直流反向电流（IR）：0.05mA MBR10200AC封装规格： 封装：TO-220AC 总长度：28.57mm 本体长度：15.87mm 引脚长度：12.7mm

编辑-Z SB20100LFCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是82MIL，是一款半塑封肖特基二极管。SB20100LFCT的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为6uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SB20100LFCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SB20100LFCT的电性参数是：正向电流(Io)为20A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.45V，其中有3条引线。 SB20100LFCT参数描述 型号：SB20100LFCT 封装：ITO-220AB 特性：半塑封肖特基二极管 电性参数：20A 100V 芯片材质：金属硅芯片 正向电

编辑-Z MBR10200FAC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR10200FAC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10200FAC采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MBR10200FAC的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.9V，其中有2条引线。 MBR10200FAC参数描述 型号：MBR10200FAC 封装：ITO-220AC 特性：大功率肖特基二极管 电性参数：10A 200V 芯片材质：金属硅芯片 正向

编辑-Z ASEMI肖特基二极管SB40100LCT参数： 型号：SB40100LCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V 最大平均正向整流输出电流（IF）：40A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-40 to +150℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.8V 最大直流反向电流（IR）：40uA SB40100LCT封装规格： 封装：TO-220AB 总长度：29.37mm 本体长度：16.07mm 引脚长度：13.3mm 宽度：10.36mm 高度：4.93mm 脚间距：2.74mm SB40100LCT特征： 低正向压降

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR15200AC参数： 型号：MBR15200AC 最大重复峰值反向电压（VRRM）：200V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 最大直流阻断电压（VDC）：200V 最大平均正向整流输出电流（IF）：15A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：175A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 最大瞬时正向压降（VF）：0.9V 最大直流反向电流（IR）：0.05mA MBR15200AC封装规格： 封装：TO-220AC 总长度：28.57mm 本体长度：15.87mm 引脚长度：12.7mm

编辑-Z MBR15200FAC在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款插件肖特基二极管。MBR15200FAC的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR15200FAC采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MBR15200FAC的电性参数是：正向电流(Io)为15A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.9V，其中有2条引线。 MBR15200FAC参数描述 型号：MBR15200FAC 封装：ITO-220AC 特性：插件肖特基二极管 电性参数：15A 200V 芯片材质：GPP硅芯片 正向电流(Io)：1

编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR16200CT参数： 型号：MBR16200CT 重复峰值反向电压（VRRM）：200V RMS电桥输入电压（VRMS）：140V 直流阻断电压（VDC）：200V 平均正向整流输出电流（IF）：16A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJA）：2℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-65 to +175℃ 瞬时正向压降（VF）：0.9V 直流反向电流（IR）：0.05mA MBR16200CT封装图片： 封装：TO-220AB 总长度：28.57mm 本体长度：15.87mm 引脚长度：12.7mm 宽度：10.66mm 高度：5.0mm 脚

编辑-Z MBR16200FCT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款大功率肖特基二极管。MBR16200FCT的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR16200FCT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR16200FCT的电性参数是：正向电流(Io)为16A，反向耐压为200V，正向电压(VF)为0.9V，其中有3条引线。 MBR16200FCT参数描述 型号：MBR16200FCT 封装：ITO-220AB 特性：大功率肖特基二极管 电性参数：16A 200V 芯片材质：GPP硅芯片 正向电流(

编辑-Z 1N5822在DO-41封装里采用的1个芯片，其尺寸都是32MIL，是一款轴向低压降肖特基二极管。1N5822的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为2.0mA，其工作时耐温度范围为-65~125摄氏度。1N5822采用金属硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。1N5822的电性参数是：正向电流(Io)为3A，反向耐压为40V，正向电压(VF)为0.52V，其中有2条引线。 1N5822参数描述 型号：1N5822 封装：DO-41 特性：轴向低压降肖特基二极管 电性参数：3A 40V 芯片材质：金属硅芯片 正向电流(Io)：3A 芯片个数：1

编辑-Z SS310L在SMA封装里采用的2个芯片，其尺寸都是60MIL，是一款低压降肖特基二极管。SS310L的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SS310L采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SS310L的电性参数是：正向电流(Io)为3A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.6V，其中有2条引线。 SS310L参数描述 型号：SS310L 封装：SMA 特性：低压降肖特基二极管 电性参数：3A 100V 芯片材质：GPP硅芯片 正向电流(Io)：3A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.

中瑞宏芯/macrocore SiC JBS、SiC MOSEFT主要应用在新能源、智能电网、工业电机等领域。覆盖面广！ 更多可以 来http://www.voasun.com/ 看下哦！