符合 JEITA 标准可用太阳能供电锂电池充电管理集成电路CN3170概述：CN3170是可以用太阳能供电的单节锂电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管，不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的充电电流自适应模块能够根据输入电源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑最坏情况，可最大限度地利用输入电源的电流输出能力，非常适合利用太阳能板等电流输出能力有限的电源供电的锂电池充电应用。CN3170只需要极少的外围元器件

PFM 升压型多节电池充电管理集成电路CN3301概述：CN3301是一款工作于4.5V到32V的PFM升压型多节电池充电控制集成电路。 CN3301采用涓流，恒流和准恒压模式(Quasi-CVTM)对电池进行充电管理，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，控制电路和片外场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少，电路简单等优点。当接通输入电源后，CN3301进入充电状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升到外部电流检测电阻设置的上限时，片外N沟道MOSFET截止，

我们公司是做技术服务的，提供3D打印服务（金属 陶瓷 各种材料都有全都是工业级设备） 三维扫描服务 三维设计 逆向工程 模拟装配（目前在航空航天和海上项目船舶方面做的比较多）检测报告（列如轮廓度误差分析 单点误差分析 二维尺寸 输出报告等） 非标件制作（可满足小批量生产价格肯定比你开模便宜而且精度有保障） 参考模型制作 我们的扫描服务精度在0.02㎜可以满足各种需求有需要的朋友们可以联系我。

具有太阳能电池最大功率点跟踪功能的4A 单节锂电池充电管理集成电路CN3791概述:CN3791 是一款可使用太阳能板供电的 PWM 降压模式单节锂电池充电管理集成电路，独立对单节锂电池充电进行管理，具有封装外形小，外围元器件少和使用简单等优点。CN3791 具有涓流，恒流和恒压充电模式，非常适合锂电池充电管理。在恒压充电模式，CN3791将电池电压调制在 4.2V；在恒流充电模式，充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电源的电流输出能力降低时，内部

概述:CN3795 是一款可使用太阳能板供电的 PWM 降压模式多节电池充电管理集成电路，独立对多节电池充电进行管理，具有封装外形小，外围元器件少和使用简单等优点。CN3795 具有涓流，恒流和恒压充电模式，非常适合锂电池，磷酸铁锂电池和钛酸锂电池充电管理。在恒压充电模式，CN3795 将电池电压调制在外部反馈电阻所设置的电压；在恒流充电模式，充电电流通过一个外部电阻设置。当用太阳能板供电时，内部电路能够自动跟踪太阳能板的最大功率点

欠压保护，过流保护/电流检测比较器集成电路CN200概览：CN200 是一款集成欠压保护和电流检测比较器的集成电路，芯片内部包括有电流检测比较器，电源欠压比较器，电压基准源和定时器等电路单元，非常适合过流保护，电流检测或者电池放电管理等应用，具有功耗低，应用简单、灵活等特点。CN200 在电源电压下降到欠压阈值(典型值1.808V)以下并持续 100 毫秒时，进入欠压状态，在 OD 管脚输出高电平和在 管脚输出低电平。只有当电源电压高过欠压阈值

欠压保护，过流保护/电流检测比较器集成电路CN200概览：CN200 是一款集成欠压保护和电流检测比较器的集成电路，芯片内部包括有电流检测比较器，电源欠压比较器，电压基准源和定时器等电路单元，非常适合过流保护，电流检测或者电池放电管理等应用，具有功耗低，应用简单、灵活等特点。CN200 在电源电压下降到欠压阈值(典型值1.808V)以下并持续 100 毫秒时，进入欠压状态，在 OD 管脚输出高电平和在 管脚输出低电平。只有当电源电压高过欠压阈值

产品型号：VK1620B 产品品牌：永嘉微电/VINKA 封装形式：SOP20 概述 VK1620B是一种数码管或点阵LED驱动控制专用芯片，内部集成有3线串行接口、数据锁存器、LED 驱动等电路。SEG脚接LED阳极，GRID脚接LED阴极，可支持10SEGx4GRID、9SEGx5GRID、8SEGx6GRID的点阵LED显示面板。适用于要求可靠、稳定和抗干扰能力强的产品。Z95+55 特点 • 工作电压 3.0-5.5V • 内置 RC振荡器 • 8个SEG脚，4个GRID脚，2个可配置SEG/GRID复用脚 • SEG脚只能接LED阳极，GRID脚只能接LED阴极 • 3线串行

各种型号原装正品 5CEFA9F23I7N，24+5CEFA7F23I7N，24+5SGXMA3H2F35C3G，23+5AGXFB7K4F40I3G，23+10AX032E2F29I2SGEN5322QIEN5311QIEN5396QI5CSEBA5U19C6NEP3C25F256I7N，23+EP4CGX22CF19C8N ,23+EP4CE30F23C8N,23+EP4CE22E22I7N,23+EP4CE15E22I7N，23+EP3C5E144I7N,22+EP3C120F780I7N，22+5CEFA5U19I7N,22+EP3C16F256C8N,22+EP3C16F484C8N,23+EP4CE55F23I7N，23+EP3C5E144I7N，23+EP2C5Q208I8N,23+EP2C5Q208C8N,23+EP2C20F256I8N,23+88E1512P-B2-NNP2I00088E6176-A1-TFJ2I00088Q2112-A2-NYD2A00088E1512-A0-NNP2C000MAX13487EESA+TMAX6650EUB+TMAX17505ATP+TDS280DF810ABWR，22+EP4CGX150CF23C8N，22+EP4CE55F23I7N，23+EP3

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　　SiC Module，即碳化硅功率模块，是一种利用碳化硅(SiC)半导体材料制造的电力电子器件。与传统的硅基功率模块相比，SiC模块具有更高的热导率、更高的击穿电场强度和更低的导通电阻，这使得它们能够在更高的温度、频率和电压下工作，同时减少能量损耗。这些特性使得SiC模块在工业电机驱动等领域中具有显著的优势，推动了电子技术的发展。 　　MPRA1C65-S61模块 　　经过不懈努力，我们研发出了MPRA1C65-S61 SiC模块。这款模块采用了先进的碳化硅(Si

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明佳达，星际金华供求 MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B，MT53E1G32D2FW-046 AIT:B存储器 内存 IC MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA 表面贴装 产品描述 MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 是一款高速动态随机存取存储器，在 x16 配置下内部配置为 8 块 DRAM，在 x4 和 x8 配置下内部配置为 16 块 DRAM。 特点 带宽比 DDR3 提高达 50 1.2V 的低电压消耗（核心和 I/O）降低了内存功耗需求 MT53E1G32D2FW-046 AIT:B 32Gbit 并行内存 IC 产品描述 MT53E1G32D2FW-046 AIT:B 是一款高密度器件，使系统设计人员能够在相同放置数量

如韵电子 CONSONANCE 欠压保护，过流保护/电流检测比较器集成电路 CN200 概览： CN200 是一款集成欠压保护和电流检测比 较器的集成电路，芯片内部包括有电流检测 比较器，电源欠压比较器，电压基准源和定 时器等电路单元，非常适合过流保护，电流 检测或者电池放电管理等应用，具有功耗 低，应用简单、灵活等特点。 CN200 在电源电压下降到欠压阈值(典型值 1.808V)以下并持续 100 毫秒时，进入欠压 状态，在 OD 管脚输出高电平和在 管脚 输出低电平。只

产品品牌：永嘉微电/VINKA 产品型号：VKL144C 封装形式：LQFP48 概述： VKL144C是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持最大144点（36SEGx4COM）的 LCD屏。单片机可通过I2C接口配置显示参数和读写显示数据，可配置4种功耗模式，也可通 过关显示和关振荡器进入省电模式。其高抗干扰，低功耗的特性适用于水电气表以及工控仪表 类产品。Z95+50 特点 • 工作电压 2.5-5.5V • 内置32 kHz RC振荡器 • 偏置电压（BIAS）可配置为1/2、1/3 • COM周期（DUTY）为1/4 • 内置显示

时间：2024年6月19-21日 地点：深圳国际会展中心（宝安新馆） ■参展范围■ 1、智能科技创新：人工智能、智能机器人、物联网、大数据/云计算、元宇宙、3D打印等； 2、移动消费电子：计算机（个人电脑/笔记本/PDA）、移动电话、平板电脑、儿童益智类（点读笔/学习板/手写笔）、可穿戴设备、无人机、游戏机、数码相机、摄像机、投影仪、迷你扫描仪、记录器、移动存储器、电源、无线充电、鼠标、键盘、路由器、电源适配器、散热器、自拍杆、支

电子信息行业的年度盛会——慕尼黑上海电子展，即将于今年7月份盛大召开！展览将聚焦半导体、传感器、连接器等领域，凸显电子行业的前沿技术和发展趋势。此外，备受瞩目的国际汽车电子、系统与解决方案主题馆也将再度亮相，呈现新能源汽车、自动驾驶等领域的最新技术应用。不容错过的专业展示平台，从产业前瞻研发到应用终端，全面展示电子行业和汽车电子行业的最新成果与创新。 本次凤岗天安数码城打造天安国际电子创新中心展团，

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明佳达，星际金华 供求 MT40A1G16KH-062E AUT:E，MT40A1G16KNR-062E:E存储器 内存 IC 芯片 MT40A1G16KH-062E AUT:E DRAM DDR4 16G 1GX16 FBGA 产品描述 MT40A1G16KH-062E AUT:E DDR4 存储器还能使设计人员以更少的贴片数量保持相同的密度，从而有助于降低成本。 功能特点 针对成本/性能/容量和高达 3200Mb/s 的数据速率进行了优化 带宽比 DDR3 提高达 50 1.2V 的低电压消耗（核心和 I/O）降低了内存功耗需求 与 DDR3 相比，省电功能可将总功耗降低 35 连接性测试模式可在系统测试期间及早发现

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概述 OC5864 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。 OC5864在 5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。 OC5864 采用 PWM 电流模工作模式，环路易于稳定并提供快速的瞬态响应。 OC5864 集成了包括逐周期电流限制和热关断等保护功能。 OC5864 采用 SOT23-6 封装，且外围元器件少。 特点 0.6A 的峰值输出电流 0.9Ω 的内部功率 MOSFET 可采用大输出电容启动 低 ESR 陶瓷电容输出稳定 效率高达 90% 固定 500kHz 频率

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明佳达，星际金华 供求 BCM57412B1KFSBG，BCM54213PEB1KMLG以太网芯片 以太网 IC BCM57412B1KFSBG 25GbE PCIe 3.0 以太网控制器，带 RDMA 产品描述： BCM57412B1KFSBG 是 25GbE PCIe 3.0 以太网控制器，设计用于在服务器中构建高度可扩展、功能丰富的网络解决方案，适用于企业和云计算规模的网络和存储应用，包括高性能计算、电信、机器学习、存储分解和数据分析。 产品特性： 符合标准的 25G PCIe 3.0 以太网控制器，具有线速全双工吞吐量 单端口 25/10/1G 双端口 10/1G 网卡分区

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输入电压18V 能改吗 3.5能做到吗

老板让找个物料，结果网上搜不到，我也不认识这是个什么玩意，上面只有一个AEBE的丝印，求问这是个什么东西？

明佳达，星际金华 供求SAK-TC1791F-512F240EP AB，SAK-TC1791F-512F240EP 单核微控制器 产品描述 SAK-TC1791F-512F240EP AB，SAK-TC1791F-512F240EP 是一款高性能微控制器，带有 TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外设控制处理器和 DMA 控制器以及多个片上外设。 功能特点 高效存储器组织：指令和数据从头存储器、高速缓存 串行通信接口 - 灵活的同步和异步模式 外设控制处理器 - 独立数据操作和中断服务 DMA 控制器 - DMA 操作和中断服务 通用定时器

产品品牌：永嘉微电/VINKA 产品型号：VKL092Q 封装形式：QFN32 概述 VKL092Q是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持最大92点（23SEGx4COM）的LCD屏。单片机可通过I2C接口配置显示参数和读写显示数据，可配置4种功耗模式，也可通过关显示和关振荡器进入省电模式。其高抗干扰，低功耗的特性适用于水电气表以及工控仪表类产品。Z95+25 特点 • 工作电压 2.5-5.5V • 内置32 kHz RC振荡器 • 偏置电压（BIAS）可配置为1/2、1/3 • COM周期（DUTY）为1/4 • 帧频80Hz• 省电

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