ADSP-BF504BCPZ-4：Blackfin 处理器，具有优化的外设集，适合工业和通用应用，LFCSP-88 Blackfin处理器内核：400MHz (800 MMACS)性能和68KB L1存储器 低功耗：数值待定 2个SPI、2个SPORT、2个UART和1个PPI接口 ADC控制模块可与外部ADC实现无缝接口，并实现同步采样 2个三相PWM单元 CAN控制器和移动存储器接口 8个通用计数器和2个32位增/减计数器，支持旋转计数 12个外设DMA通道和2个存储器对存储器DMA通道 12x12mm LFCSP封装 星际金华，明佳达供应，回收ADSP-BF504BCPZ-4【Blackfin 嵌入

上海太矽TX0001是一款高性能信号处理芯片，低功耗CMOS工艺 高输入阻抗运算放大器，双向电平检测器，优异的抗噪声性能，内置延时时间见定时器和阻塞时间定时器。采用16脚DIP和SOP两种封装。适用于自动照明、安全区照明和警报系统以及自动门、电风扇、烘干机等自动装置。欢迎各位新老客户前来咨询索样。[lbk]抱拳[rbk]#PCBA方案开发##SMT加工#

铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征：120V,200ARDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V TYP:5.0mΩRDS（ON）<7.5mΩ＠VGS=6V TYP:6.5mΩ先进的沟槽电池设计低热阻 应用：电机驱动器直流-直流转换器

描述： AP180N03P/T采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作 该器件适用于电池保护或其他开关应用 特征： VDS=30V ID =180A RDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V （Type：2.1mΩ） 应用： 电池保护 负载开关 不间断电源

AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征：650V,7ARDS（ON）<1.35Ω＠VGS=10V TYP:1.1Ω快速切换100%雪崩测试改进的dv/dt能力应用：开关模式电源（SMPS）不间断电源（UPS）功率因数校正（PFC）PWM应用

APA65R640FM 超结功率场效应晶体管特征：650V,7ARDS（ON）<640mΩ＠VGS=10V TYP:523mΩ先进的超结技术极低导通电阻应用：功率因子校正（PFC）开关模式电源（SMPS）不间断电源（UPS）LED照明电源

AP100N03P/T 30V N-通道增强模式 MOSFET描述：AP100N03P/T是采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作该器件适用于电池保护或其他开关应用特征：VDS = 30V ID =100 ARDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V （Type：4.5mΩ）应用：电池保护负载开关不间断电源

华羿微 HYG160N06LS1D/U/V N- 通道增强型 MOSFET特征：60V，38ARDS（ON）<14mΩ@VGS=10V100% 雪崩测试100% DVDS可靠且坚固提供无卤素和绿色设备（符合 RoHS 标准）应用：开关应用DC-DC 转换器

5CEFA4F23C8N：Cyclone® V E 现场可编程门阵列（FPGA）IC 型号：5CEFA4F23C8N 封装：FBGA-484 类型：嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 5CEFA4F23C8N 产品属性： LAB/CLB 数：18480 逻辑元件/单元数：49000 总 RAM 位数：3464192 I/O 数：224 电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V 安装类型：表面贴装型 工作温度：0°C ~ 85°C（TJ） 封装/外壳：484-BGA 供应商器件封装：484-FBGA（23x23） 星际金华，明佳达供应，回收5CEFA4F23C8N Cyclone® V E 现场可编程门阵列（FPGA）IC。

C3M0016120D：1200V 单N-通道碳化硅MOSFET晶体管，TO-247-3 FET 类型：N 通道 技术：SiCFET（碳化硅） 漏源电压（Vdss）：1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V Vgs（最大值）：+15V，-4V 功率耗散（最大值）：556W（Tc） 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：通孔 封装/外壳：TO-247-3 星际金华，明佳达供应，回收C3M0016120D（碳化硅MOSFET晶体管）C2M0280120D C2M0280120D：1200V N通道 SiCFET（碳化硅）MOSFET晶体管，TO-247-3 FET 类型：N

LTC4079IDD：60V、250mA 线性电池充电器 IC，低静态电流，DFN-10 电池化学成份：多化学 电流 - 充电：恒流 - 可编程 可编程特性：定时器 充电电流 - 最大值：250mA 电压 - 供电（最高）：60V 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：10-DFN（3x3） 星际金华，明佳达供应，回收LTC4079IDD【电池充电器 IC】ISL9241HRTZ。 ISL9241HRTZ：锂离子 降压-升压型可配置电池充电器 IC 32-TQFN（4x4） 电池化学成份：锂离子 电池数：2 ~ 4 电流 - 充电：恒流 - 可编程

NX30P0121UKZ：3A 单向电源开关 - 配电开关，负载驱动器，WLCSP-12 2.5V 至 20V 的宽电源电压范围 开关最大连续电流为 3A VIN 和 VOUT 引脚均具有 29V 容差 54mΩ （典型值） 低导通电阻 可调过压保护阈值，内部 14.5V VOUT OVLO 内置压摆率控制，用于限制浪涌电流 ISNS 用于监控从 VIN 到 VOUT 的输入电流 星际金华，明佳达供应，回收NX30P0121UKZ电源开关 IC，TPS22925CYPHR负载开关 IC TPS22925CYPHR：3.6V、3A、9mΩ 导通电阻负载开关 - 配电开关，负载驱动器，DSBGA-6 输入电压范围： 0.

WLR089U0-I/RM：863MHz ~ 928MHz 低功率远距离 LoRa 射频收发器模块，不含天线 协议：LoRa 频率：863MHz ~ 928MHz 数据速率：1Mbps 功率 - 输出：18.5dBm 灵敏度：-136dBm 串行接口：ADC，GPIO，I2C，PCM，SPI，USART 天线类型：不含天线，U.FL 存储容量：256kB 闪存，8kB SRAM 电压 - 供电：1.8V ~ 3.5V 电流 - 接收：12.64mA 电流 - 传输：25.68mA ~ 114.68mA 安装类型：表面贴装型 工作温度：-40°C ~ 85°C 封装/外壳：模块 星际金华，明佳达电子供应，回收WLR089U0-I/RM【射频收发器模块】RN2903A-I/RMS

LTC3265EDHC 是一款低噪声、双极性输出电源，其内置了一个升压充电泵、一个负输出充电泵以及两个低噪声正和负 LDO 后置稳压器。升压充电泵负责给正 LDO 后置稳压器供电，而负输出充电泵则用于给负 LDO 稳压器供电。每个LDO可提供高达 50mA 的输出电流。LDO 输出电压可采用外部电阻分压器来调节。 一、LTC3265EDHC - 具升压和负输出充电泵的低噪声双电源 型号：LTC3265EDHC 封装：DFN-18 类型：电源管理IC 星际金华，明佳达供应，回收LTC3265EDHC【低噪声双电源】

VSC8514XMK-14：带 QSGMII MAC 的四端口 10/100/1000BASE-T PHY 以太网收发器 型号：VSC8514XMK-14 封装：VQFN-138 类型：以太网收发器 星际金华，明佳达供应，回收VSC8514XMK-14【以太网收发器】 产品说明：VSC8514XMK-14 是一款具有铜介质接口的低功耗千兆以太网收发器。它具有低电磁干扰（EMI）线路驱动器和集成的线路侧终端电阻器，可节省电源和印刷电路板（PCB）空间。 产品特征： 1.0 V 和 2.5 V 电源 3.3 V 容差 2.5 V 输入（单端和双向 TTL/CMOS I/O） 符合 IEEE 802.3 标准（10BASE

BGT24LTR11N16：硅锗 24GHz 雷达收发器 MMIC 型号：BGT24LTR11N16 封装：WFQFN-16 类型：雷达收发器 产品属性： 频率：24GHz ~ 24.25GHz 功率 - 输出：6dBm 电压 - 供电：3.3V 电流 - 接收：45mA 电流 - 传输：45mA 工作温度：-40°C ~ 85°C 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：16-WFQFN 星际金华，明佳达供应，回收BGT24LTR11N16，BGT60LTR11AIP。 BGT60LTR11AIP：完全集成的雷达传感器 型号：BGT60LTR11AIP 封装：BGA-42 类型：雷达传感器 产品说明：BGT60LTR11AIP 是一种完全集成的雷达传感器，包括天

MAX9281GTM/V：用于同轴或 STP 输出驱动器和 LVDS 输入的 3.12Gbps GMSL 串行器 产品说明：MAX9281GTM/V是 3.12Gbps 千兆位多媒体串行链路 (GMSL) 串行器，具有 3 或 4 数据通道 LVDS 输入 (oLDI) 和 CML 串行输出，可编程用于 50Ω 同轴或 100Ω 屏蔽双绞线 (STP) 电缆驱动。 产品属性： 功能：串行器 数据速率：3.12Gbps 输入类型：LVDS 输出类型：CML 输入数：30 输出数：1 电压 - 供电：1.7V ~ 1.9V 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：48-WFQFN 供应商器件封

各位学员，大家好！ 2024年06月13日-14日我们将在上海举办一期电源管理芯片设计课程，本期课程将讲述电源管理电路中最常见的模块LDO和DC-DC的相关知识、设计技巧和前沿揭秘，包括模拟LDO，数字LDO，电感型DC-DC，电容型DC-DC和最近关注度很高的混合型DC-DC。 教授专家简介： 黄沫博士于2005，2008，2014年分别在中山大学微电子学与固体电子学专业获得本科，硕士，博士学位。 2008至2014年，黄沫博士在广晟微电子有限公司，作为项目经理参与了TD-LTE，TD-SCDM

VSC8514XMK-14：带 QSGMII MAC 的四端口 10/100/1000BASE-T PHY 以太网收发器 型号：VSC8514XMK-14 封装：VQFN-138 类型：千兆以太网收发器 VSC8514XMK-14 是一款具有铜介质接口的低功耗千兆以太网收发器。它具有低电磁干扰（EMI）线路驱动器和集成的线路侧终端电阻器，可节省电源和印刷电路板（PCB）空间。 产品特征： 1.0 V 和 2.5 V 电源 3.3 V 容差 2.5 V 输入（单端和双向 TTL/CMOS I/O） 符合 IEEE 802.3 标准（10BASE-T、100BASE-TX 和 1000BASE-T） 四个集成式 10/100/1000BASE-T 以太网铜缆收

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MTFC32GAZAQHD-WT：闪存 - NAND 存储器IC 200MHz 153-VFBGA 型号：MTFC32GAZAQHD-WT 封装：VFBGA-153 类型：闪存 - NAND 存储器IC MTFC32GAZAQHD-WT 产品属性： 存储器类型：非易失 存储器格式：闪存 技术：闪存 - NAND 存储容量：256Gb 存储器组织：32G x 8 存储器接口：MMC 时钟频率：200 MHz 电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V 工作温度：-25°C ~ 85°C（TC） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：153-VFBGA 供应商器件封装：153-VFBGA（11.5x13） 星际金华，明佳达供应，回收MTFC32GAZAQHD-WT，2-1415356-1。 2-1415356-1

IGO60R070D1AUMA1 / IGOT60R070D1AUMA1：600V CoolGaN 增强型功率晶体管 型号：IGO60R070D1AUMA1 / IGOT60R070D1AUMA1 封装：20-PowerSOIC 类型：功率晶体管 星际金华，明佳达供应，回收IGO60R070D1AUMA1，IGOT60R070D1AUMA1晶体管。 IGO60R070D1AUMA1 / IGOT60R070D1AUMA1 产品特性： 增强型晶体管 - 常闭开关 超快开关 无反向恢复电荷 能够反向传导 低栅极电荷，低输出电荷 卓越的换向坚固性

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INA199C3RSWR：26V、双向、零漂移、电流检测放大器 型号：INA199C3RSWR 封装：UQFN-10 类型：电流检测放大器 功能：电流检测 感应方法：高/低端 精度：±1% 电压 - 输入：-0.1V ~ 26V 工作温度：-40°C ~ 125°C 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：10-UFQFN 供应商器件封装：10-UQFN（1.8x1.4） 产品说明：INA199C3RSWR 是一款电压输出、电流分流监测器（也称为电流传感放大器）常用于过流保护、针对系统优化的精密电流测量或闭环反馈电路。 INA199C3RSWR 产品特征 宽共模范围：-

TMS320F28379DZWTQR：微控制器 IC 32位双核 200MHz 337-NFBGA 内核规格：32位双核 速度：200MHz I/O 数：169 程序存储容量：1MB（512K x 16） RAM 大小：102K x 16 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.14V ~ 1.26V 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：337-LFBGA 供应商器件封装：337-NFBGA（16x16） HTRC11001T：RFID 阅读器 IC 125kHz 4.5V ~ 5.5V 14-SOIC 类型：RFID 阅读器 频率：125kHz 电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V 工作温度：-40°C ~ 85°C 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：14-SOIC

STM32H757XIH6：高性能32位RISC内核 微控制器IC TFBGA-265 内核规格： 32 位双核 速度： 240MHz，480MHz I/O 数：168 程序存储容量： 2MB（2M x 8） RAM 大小：1M x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd) ：1.62V ~ 3.6V 工作温度： -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型： 表面贴装型 封装/外壳 ：265-TFBGA (14x14) 星际金华（明佳达电子）供求原装库存器件：STM32H757XIH6，S9S12G48AMLH。 S9S12G48AMLH：16位微控制器 IC 25MHz 64-LQFP（10x10） 核心处理器：12V1 内核规格：16 位 速度：25MHz I/O 数：54 程序存储容量：48KB（48K x

TPSM828213SILR和TPSM828211SILR 1A降压转换器 MicroSiP™ 电源模块，该电源模块经优化具有小解决方案尺寸和高效率等特性。 产品特性 1.1mm MicroSiP™ 电源模块 符合 CISPR 11 B 类要求 效率高达 95% 输入电压范围为 2.4V 至 5.5V 0.6V 至 4V 可调节输出电压 可提供的固定输出电压：1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 工作静态电流为 4µA DCS-Control 拓扑 可实现轻负载效率的省电模式选项 支持 CCM 运行的强制 PWM 选项 可实现最低压降的 100% 占空比 断续短路保护 输出放电 具有窗口比较器的

STM32L083RZT6：微控制器IC 32位单核 32MHz 64-LQFP（10x10） 内核规格：32 位单核 速度：32MHz I/O 数：51 程序存储容量：192KB（192K x 8） EEPROM 容量：6K x 8 RAM 大小：20K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：64-LQFP（10x10） 星际金华（明佳达电子）供求原装库存器件 STM32L083RZT6，STM32L443CCT6。 STM32L443CCT6：微控制器IC 32位单核 80MHz 48-LQFP（7x7） 内核规格：32 位单核 速度：80MHz I/O 数：38 程序存储容量：256KB（256K

LM5158QRTERQ1：开关稳压器IC 1.5V 1输出 3.26A（开关） 16-WFQFN 电压 - 输入：1.5V，60V 电压 - 输出：1.5V，83V 电流 - 输出：3.26A（开关） 频率 - 开关：100kHz ~ 2.2MHz 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：16-WQFN（3x3） 明佳达电子（星际金华）供求原装库存器件 LM5158QRTERQ1，BES2600IHC-2X。 BES2600IHC-2X：双核Arm MCU，蓝牙音频SoC 产品说明：BES2600IHC-2X 是一款双核Arm MCU、蓝牙音频SoC，支持 BT5.3 规范、混合主动降噪，功耗低至 4.5mA。 BES2600IHC-2X 产

LLCC68IMLTRT：射频收发器IC 24-VFQFN 频率：150MHz ~ 960MHz 数据速率：300kbps 功率 - 输出：22dBm 串行接口：SPI 电压 - 供电：1.8V ~ 3.7V 电流 - 接收：4.2mA ~ 10.1mA 电流 - 传输：32mA ~ 118mA 工作温度：-40°C ~ 85°C 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：24-VFQFN，24-QFN（4x4） 明佳达电子（星际金华）供求原装库存器件 LLCC68IMLTRT，RK2206。 RK2206：低功耗、高集成度、基于MCU的无线局域网处理器 产品说明：RK2206 是一款基于 MCU 的低功耗、高集成度无线局域网处理器。它可应用于

LT8620IMSE：DC-DC 开关稳压器 2A 16-TFSOP 输出数：1 电压 - 输入：3.4V，65V 电压 - 输出：0.97V，64.75V 电流 - 输出：2A 频率 - 开关：200kHz ~ 2.2MHz 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：16-TFSOP LT8580IDD：开关稳压器 1.2V 1输出 1.2A（开关） 8-WFDFN 输出数：1 电压 - 输入：2.55V，40V 电压 - 输出：1.2V，65V（开关） 电流 - 输出：1.2A（开关） 频率 - 开关：200kHz ~ 1.5MHz 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：8-WFDFN TPS552882QRPM

CS5080E/ZCC5080E烧芯片，BAT击穿芯片cs5080。现在我司推出高耐压FS5281可兼容替代CS5080E/ZCC5080E FS5281是一款支持同步双节串联锂离子电池的升压充电管理芯片,内部集成功率MOS管。充电可达1A电流。FS5281具有完善的充电保护功能。针对不同的应用场合，芯片可以通过方便地调节外部电阻的阻值来改变充电电流的大小。针对不同种类的适配器，FS5281芯片内置自适应电流调节环路，智能调节充电电流大小，从而防止充电电流过大而拉挂适配器的现象。该芯片将功率

NTMFS002P03P8ZT1G：表面贴装型 P通道晶体管 30V 5-DFN（5x6）（8-SOFL） FET 类型：P 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：30 V 功率耗散：3.3W（Ta），138.9W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL） 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线 NTMFS5C612NLT1G：表面贴装型 N通道晶体管 60V 5-DFN（5x6）（8-SOFL） FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60 V 功率耗散：3.8W（Ta），167W（Tc） 工作

PIC18F25Q10-I/SS：微控制器 IC 8位 64MHz 28-SSOP 内核规格：8 位 速度：64MHz I/O 数：25 程序存储容量：32KB（32K x 8） EEPROM 容量：256 x 8 RAM 大小：2K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 5.5V 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：28-SSOP LPC11E68JBD64：微控制器 IC 32 位单核 50MHz 64-LQFP 内核规格：32 位单核 速度：50MHz I/O 数：50 程序存储容量：256KB（256K x 8） EEPROM 容量：4K x 8 RAM 大小：36K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.4V ~ 3.6V 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）

科电罗德与施瓦茨 R&S RTO6 示波器有哪些用途？

DS80PCI800SQ：信号缓冲器 8 通道 8Gbps 54-WQFN 数据速率：8Gbps 通道数：8 延迟时间：200ps 电容 - 输入：10 pF 电压 - 供电：2.375V ~ 3.6V 工作温度：-40°C ~ 85°C 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：54-WQFN ADUM7441CRQZ：通用 数字隔离器 4 通道 25Mbps 16-SSOP 类型：通用 通道数：4 通道类型：单向 电压 - 隔离：1000Vrms 数据速率：25Mbps 电压 - 供电：3V ~ 5.5V 工作温度：-40°C ~ 105°C 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：16-SSOP 元器件：DS80PCI800SQ [信号缓冲器]，ADUM7441CRQZ [数字隔离

LM5123QRGRRQ1：电源管理（PMIC）DC-DC 开关控制器 输出类型：晶体管驱动器 输出数：1 输出阶段：1 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：3.8V ~ 42V 频率 - 开关：100kHz ~ 2.2MHz 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：20-VQFN（3.5x3.5） LM51501QURUMRQ1：电源管理（PMIC）DC-DC 开关控制器 输出类型：晶体管驱动器 输出数：1 输出阶段：1 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.5V ~ 42V 频率 - 开关：220kHz ~ 2.3MHz 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：16-WQFN

ZCC8570 是一款通用型液晶控制与驱动芯片，具有 4 背极和 35 段极共 140 位的输出能力，适用于低占空比的字符/图形式液晶屏幕。ZCC8570 具有 I²C 总线接口，具备自动地址增量功能。

XC7A50T-2CSG325C：Artix-7 现场可编程门阵列，324-LFBGA，CSPBGA LAB/CLB 数：4075 逻辑元件/单元数：52160 总 RAM 位数：2764800 I/O 数：150 电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V 安装类型：表面贴装型 工作温度：0°C ~ 85°C（TJ） 封装/外壳：324-LFBGA，CSPBGA 供应商器件封装：324-CSPBGA（15x15） XC7A35T-2FGG484C：Artix-7 现场可编程门阵列，484-FBGA LAB/CLB 数：2600 逻辑元件/单元数：33280 总 RAM 位数：1843200 I/O 数：250 电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V 安装类型：表面贴装型 工作温度：0°C ~ 85°C（TJ） 封装/

S912ZVC64AMLFR：微控制器 IC 16 位 32MHz 64KB（64K x 8） 闪存 48-LQFP 核心处理器：S12Z 内核规格：16位 速度：32MHz I/O 数：28 程序存储容量：64KB（64K x 8） EEPROM 容量：1K x 8 RAM 大小：4K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：5.5V ~ 18V 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：48-LQFP（7x7） S912ZVML12AWKH：微控制器 IC 16 位 50MHz 128KB（128K x 8） 闪存 核心处理器：S12Z 内核规格：16位 速度：50MHz I/O 数：31 程序存储容量：128KB（128K x 8） EEPROM 容量：512 x 8 RAM 大小：8K

产品介绍 LMZ3 SIMPLE SWITCHER®电源模块将DC/DC转换器、电感器和无源器件都集成在一个极小、极薄的 QFN 封装中，得到易于使用的负载点解决方案。只需3个外部组件，就能实现高性能和高密度负载点设计——这使得布局极其简单。极小的QFN封装易于焊接到印刷电路板，实现紧凑的负载点设计，并具有高于90%的效率及优异的功耗性能。LMZ3系列具有分立式负载点设计的灵活性和特性组合，是驱动宽带 & 通信、基础设施、自动化测试及医疗设备、紧凑型PCI /

PIC32MX550F256H-I/PT：微控制器 IC 32 位单核 40MHz 256KB（256K x 8） 闪存 64-TQFP 内核规格：32位单核 速度：40MHz I/O 数：49 程序存储容量：256KB（256K x 8） 程序存储器类型：闪存 RAM 大小：32K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.3V ~ 3.6V 数据转换器：A/D 28x10b 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型：表面贴装型 封装/外壳：64-TQFP（10x10） AM3517AZERC：ARM Cortex-A8 微处理器 IC 1核，32 位 600MHz 内核数/总线宽度：1核，32 位 速度：600MHz 内存控制器 LPDDR, DDR2 显示和接口控制器 LCD 以太网